STGD6M65DF2

零件编号
STGD6M65DF2
制造商 STMicroelectronics
其它零件编号
描述 IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
规格书 Datasheet

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
输入类型 Standard
供应商器件封装 DPAK
封装 / 外壳 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
反向恢复时间 140 ns
集电极脉冲电流 (Icm) 24 A
集电极电流(Ic)(最大值) 12 A
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
最大功率 88 W
开关能量 36µJ (on), 200µJ (off)
栅极电荷 21.2 nC
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 15ns/90ns
测试条件 400V, 6A, 22Ohm, 15V

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