HGTH20N50E1
产品属性
| 安装类型 | Surface Mount |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商器件封装 | TO-218 Isolated |
| 电路类型 | Isolated |
| 电阻匹配比 | - |
| 电阻比漂移 | - |
| 每单元功率 | 62.5mW |
| 温度系数 | ±200ppm/°C |
| 公差 | ±1% |
| 引脚数量 | 8 |
| 等级 | Automotive |
| 电阻数量 | 4 |
| IGBT类型 | - |
| 输入类型 | Standard |
| 最大功率 | 100 W |
| 测试条件 | - |
| 认证 | AEC-Q200 |
| 封装 / 外壳 | 0804, Concave, Long Side Terminals |
| 开关能量 | - |
| 导通/关断时间 (Td) @ 25°C | - |
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 20 A |
| 尺寸/外形尺寸 | 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) |
| 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） | 500 V |
| 高度 - 安装后最大 | 0.020" (0.50mm) |
| 应用领域 | DDRAM, SDRAM |
| 栅极电荷 | 33 nC |
| 集电极脉冲电流 (Icm) | 35 A |
| 电阻（欧姆） | 590k |
| Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 35A |