HGTD8P50G1
产品属性
| 安装类型 | Through Hole |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| IGBT类型 | - |
| 输入类型 | Standard |
| 测试条件 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 开关能量 | - |
| 导通/关断时间 (Td) @ 25°C | - |
| 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） | 500 V |
| 供应商器件封装 | IPAK |
| 封装 / 外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
| 集电极脉冲电流 (Icm) | 18 A |
| 最大功率 | 66 W |
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 12 A |
| 栅极电荷 | 30 nC |
| Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 8A |