HGTD10N50F1
产品属性
| 安装类型 | Through Hole |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| IGBT类型 | - |
| 输入类型 | Standard |
| 测试条件 | - |
| 开关能量 | - |
| 导通/关断时间 (Td) @ 25°C | - |
| 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） | 500 V |
| 供应商器件封装 | IPAK |
| 封装 / 外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 12 A |
| 最大功率 | 75 W |
| Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic | 2.5V @ 10V, 5A |
| 栅极电荷 | 13.4 nC |