HGT1S10N120BNS

零件编号:
HGT1S10N120BNS
制造商:
onsemi
其它零件编号:
-
描述:
IGBT NPT 1200V 35A TO-263
规格书:
PDF

产品属性

零件状态 Obsolete
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
输入类型 Standard
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 1200 V
最大功率 298 W
供应商器件封装 TO-263 (D2PAK)
封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 100 nC
IGBT类型 NPT
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
集电极脉冲电流 (Icm) 80 A
集电极电流(Ic)(最大值) 35 A
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 23ns/165ns
测试条件 960V, 10A, 10Ohm, 15V
开关能量 320µJ (on), 800µJ (off)