STGWT80H65DFB

Номер детали:
STGWT80H65DFB
Производитель:
STMicroelectronics
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
输入类型 Standard
Корпус TO-3P-3, SC-65-3
Поставщик Устройство Корпус TO-3P
Время обратного восстановления (trr) 85 ns
Ток коллектора импульсный (Icm) 240 A
Энергия переключения 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
Ток коллектора (Ic) (макс.) 120 A
IGBT Тип Trench Field Stop
Мощность - Максимальная 469 W
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Заряд затвора 414 nC
Td (включено/выключено) @ 25°C 84ns/280ns
Условия испытания 400V, 80A, 10Ohm, 15V