RGT16TM65DGC9

Номер детали:
RGT16TM65DGC9
Производитель:
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT TRENCH FS 650V 9A TO-220NFM
Datasheet:
-

Product Attributes

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
输入类型 Standard
Ток коллектора (Ic) (макс.) 9 A
Корпус TO-220-3 Full Pack
Энергия переключения -
Время обратного восстановления (trr) 42 ns
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Ток коллектора импульсный (Icm) 24 A
Заряд затвора 21 nC
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
IGBT Тип Trench Field Stop
Мощность - Максимальная 22 W
Поставщик Устройство Корпус TO-220NFM
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A
Td (включено/выключено) @ 25°C 13ns/33ns
Условия испытания 400V, 8A, 10Ohm, 15V