HGTP10N120BN

Номер детали:
HGTP10N120BN
Производитель:
onsemi
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT NPT 1200V 35A TO-220-3
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус TO-220-3
输入类型 Standard
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
Мощность - Максимальная 298 W
Заряд затвора 100 nC
IGBT Тип NPT
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Ток коллектора импульсный (Icm) 80 A
Ток коллектора (Ic) (макс.) 35 A
Td (включено/выключено) @ 25°C 23ns/165ns
Условия испытания 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Энергия переключения 320µJ (on), 800µJ (off)