HGTH20N50C1
Product Attributes
| Тип монтажа | Surface Mount |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-218 Isolated |
| Тип схемы | Isolated |
| Коэффициент согласования резисторов | - |
| Резисторное соотношение дрейфа | - |
| Мощность на элемент | 62.5mW |
| Температурный коэффициент | ±200ppm/°C |
| Допуск | ±1% |
| Количество выводов | 8 |
| Класс | Automotive |
| Количество резисторов | 4 |
| IGBT Тип | - |
| 输入类型 | Standard |
| Мощность - Максимальная | 100 W |
| Условия испытания | - |
| Квалификация | AEC-Q200 |
| Корпус | 0804, Concave, Long Side Terminals |
| Энергия переключения | - |
| Td (включено/выключено) @ 25°C | - |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 20 A |
| Размер / Габариты | 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 500 V |
| Сопротивление (Ом) | 1.6k |
| Высота - Установленная (Макс.) | 0.020" (0.50mm) |
| Приложения | DDRAM, SDRAM |
| Заряд затвора | 33 nC |
| Ток коллектора импульсный (Icm) | 35 A |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 35A |