HGTD8P50G1S
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| IGBT Тип | - |
| 输入类型 | Standard |
| Корпус | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Условия испытания | - |
| Энергия переключения | - |
| Td (включено/выключено) @ 25°C | - |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 500 V |
| Ток коллектора импульсный (Icm) | 18 A |
| Мощность - Максимальная | 66 W |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-252AA |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 12 A |
| Заряд затвора | 30 nC |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 3A |