HGTD1N120BNS9A

Номер детали:
HGTD1N120BNS9A
Производитель:
onsemi
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
输入类型 Standard
Мощность - Максимальная 60 W
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IGBT Тип NPT
Поставщик Устройство Корпус TO-252AA
Заряд затвора 14 nC
Ток коллектора (Ic) (макс.) 5.3 A
Ток коллектора импульсный (Icm) 6 A
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Энергия переключения 70µJ (on), 90µJ (off)
Td (включено/выключено) @ 25°C 15ns/67ns
Условия испытания 960V, 1A, 82Ohm, 15V