GT50J121(Q)

Номер детали:
GT50J121(Q)
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Datasheet:
-

Product Attributes

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Рабочая температура 150°C (TJ)
IGBT Тип -
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
输入类型 Standard
Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
Ток коллектора импульсный (Icm) 100 A
Корпус TO-3PL
Мощность - Максимальная 240 W
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Поставщик Устройство Корпус TO-3P(LH)
Td (включено/выключено) @ 25°C 90ns/300ns
Энергия переключения 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Условия испытания 300V, 50A, 13Ohm, 15V