GT30J121(Q)

Номер детали:
GT30J121(Q)
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
IGBT Тип -
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
输入类型 Standard
Корпус TO-3P-3, SC-65-3
Ток коллектора (Ic) (макс.) 30 A
Ток коллектора импульсный (Icm) 60 A
Мощность - Максимальная 170 W
Поставщик Устройство Корпус TO-3P(N)
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
Энергия переключения 1mJ (on), 800µJ (off)
Td (включено/выключено) @ 25°C 90ns/300ns
Условия испытания 300V, 30A, 24Ohm, 15V