GT10J312(Q)

Номер детали:
GT10J312(Q)
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Поставщик Устройство Корпус -
Время обратного восстановления (trr) 200 ns
Рабочая температура 150°C (TJ)
IGBT Тип -
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
输入类型 Standard
Мощность - Максимальная 60 W
Энергия переключения -
Корпус TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Ток коллектора (Ic) (макс.) 10 A
Ток коллектора импульсный (Icm) 20 A
Td (включено/выключено) @ 25°C 400ns/400ns
Условия испытания 300V, 10A, 100Ohm, 15V