APTGT75A1202G

Номер детали:
APTGT75A1202G
Производитель:
Microsemi Corporation
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2
Datasheet:
-

Product Attributes

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Chassis Mount
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация Half Bridge
输入 Standard
NTC Термистор No
Ток коллектора (Ic) (макс.) 110 A
IGBT Тип Trench Field Stop
Ток отсечки коллектора (макс.) 50 µA
Мощность - Максимальная 357 W
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Входная емкость (Cies) при Vce 5.34 nF @ 25 V
Корпус SP2
Поставщик Устройство Корпус SP2