APTGT100DH60T3G

Номер детали:
APTGT100DH60T3G
Производитель:
Microsemi Corporation
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3
Datasheet:
-

Product Attributes

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
输入 Standard
Ток отсечки коллектора (макс.) 250 µA
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Термистор Yes
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Ток коллектора (Ic) (макс.) 150 A
IGBT Тип Trench Field Stop
Корпус SP3
Поставщик Устройство Корпус SP3
Конфигурация Asymmetrical Bridge
Мощность - Максимальная 340 W
Входная емкость (Cies) при Vce 6.1 nF @ 25 V