HGTP12N60C3R
Product Attributes
| 장착 유형 | Surface Mount |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 공급업체 장치 패키지 | TO-220-3 |
| 패키지 / 케이스 | 1206 (3216 Metric), Concave, Long Side Terminals |
| 회로 유형 | Isolated |
| 저항 매칭 비율 | - |
| 저항비-드리프트 | - |
| 엘리먼트 당 전력 | 62.5mW |
| 온도 계수 | ±200ppm/°C |
| 높이 - 앉은 상태 (최대) | 0.028" (0.70mm) |
| 크기 / 치수 | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| 공차 | ±1% |
| 핀 수 | 8 |
| 등급 | Automotive |
| 저항기 수 | 4 |
| IGBT 유형 | - |
| 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대) | 600 V |
| 输入类型为韩文 | Standard |
| 자격 인증 | AEC-Q200 |
| 역복구 시간 (trr) | 37 ns |
| 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) | 24 A |
| 저항 (옴) | 91 |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/120ns |
| 애플리케이션 | DDRAM, SDRAM |
| 파워 - 최대 | 104 W |
| 테스트 조건 | 480V, 12A, 25Ohm, 15V |
| 게이트 충전 | 71 nC |
| 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm) | 48 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 12A |
| 스위칭 에너지 | 400µJ (on), 340µJ (off) |