GT60N321(Q)
| 부품 번호 |
GT60N321(Q)
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|---|---|
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기타 부품 번호 | |
| 설명 | IGBT 1000V 60A TO-3P |
| 규격서 |
제품 속성
| 부품 상태 | Obsolete | |
|---|---|---|
| 장착 유형 | Through Hole | |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| IGBT 유형 | - | |
| 输入类型为韩文 | Standard | |
| 테스트 조건 | - | |
| 역복구 시간 (trr) | 2.5 µs | |
| 스위칭 에너지 | - | |
| 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) | 60 A | |
| 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm) | 120 A | |
| 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대) | 1000 V | |
| 파워 - 최대 | 170 W | |
| 패키지 / 케이스 | TO-3PL | |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A | |
| Td (on/off) @ 25°C | 330ns/700ns | |
| 공급업체 장치 패키지 | TO-3P(LH) |
현물:1600
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