RGT8NS65DGC9

Numéro de pièce :
RGT8NS65DGC9
Fabricant :
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Description :
IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
Datasheet:
-

Product Attributes

Type de montage Through Hole
Statut de la pièce Active
输入类型 Standard
Énergie de Commutation -
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 8 A
Temps de récupération inverse (trr) 40 ns
Boîtier TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fournisseur Dispositif Emballage TO-262
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Puissance - Max 65 W
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
Type d'IGBT Trench Field Stop
Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 12 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Charge de grille 13.5 nC
Td (on/off) @ 25°C 17ns/69ns
Condition de test 400V, 4A, 50Ohm, 15V