RGT8BM65DGTL1

Numéro de pièce :
RGT8BM65DGTL1
Fabricant :
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Description :
IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE
Datasheet:
-

Product Attributes

Statut de la pièce Active
Type de montage Surface Mount
Grade -
Qualification -
输入类型 Standard
Boîtier TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Énergie de Commutation -
Temps de récupération inverse (trr) 40 ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 12 A
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
Type d'IGBT Trench Field Stop
Puissance - Max 62 W
Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 12 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Charge de grille 13.5 nC
Td (on/off) @ 25°C 17ns/69ns
Condition de test 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Fournisseur Dispositif Emballage TO-252GE