RGT30NS65DGC9

Numéro de pièce :
RGT30NS65DGC9
Fabricant :
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Description :
IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
Datasheet:
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Product Attributes

Type de montage Through Hole
Statut de la pièce Active
Temps de récupération inverse (trr) 55 ns
输入类型 Standard
Énergie de Commutation -
Boîtier TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fournisseur Dispositif Emballage TO-262
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30 A
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Charge de grille 32 nC
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 45 A
Type d'IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Condition de test 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C 18ns/64ns
Puissance - Max 133 W