RGT16NS65DGC9

Numéro de pièce :
RGT16NS65DGC9
Fabricant :
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Description :
IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-262
Datasheet:
-

Product Attributes

Type de montage Through Hole
Statut de la pièce Active
输入类型 Standard
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 16 A
Énergie de Commutation -
Temps de récupération inverse (trr) 42 ns
Boîtier TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fournisseur Dispositif Emballage TO-262
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 24 A
Charge de grille 21 nC
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
Type d'IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A
Puissance - Max 94 W
Td (on/off) @ 25°C 13ns/33ns
Condition de test 400V, 8A, 10Ohm, 15V