HGTD1N120BNS9A

Numéro de pièce :
HGTD1N120BNS9A
Fabricant :
onsemi
Other Part Numbers:
-
Description :
IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Statut de la pièce Active
Type de montage Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
输入类型 Standard
Puissance - Max 60 W
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
Boîtier TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Type d'IGBT NPT
Fournisseur Dispositif Emballage TO-252AA
Charge de grille 14 nC
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 5.3 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 6 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Énergie de Commutation 70µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 15ns/67ns
Condition de test 960V, 1A, 82Ohm, 15V