HGT1S10N120BNST

Numéro de pièce :
HGT1S10N120BNST
Fabricant :
onsemi
Other Part Numbers:
-
Description :
IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Statut de la pièce Active
Type de montage Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
输入类型 Standard
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
Puissance - Max 298 W
Fournisseur Dispositif Emballage TO-263 (D2PAK)
Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de grille 100 nC
Type d'IGBT NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 80 A
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 35 A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/165ns
Condition de test 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Énergie de Commutation 320µJ (on), 800µJ (off)