AFGB40T65RQDN

Numéro de pièce :
AFGB40T65RQDN
Fabricant :
onsemi
Other Part Numbers:
-
Description :
IGBT FIELD STOP 650V 68A TO-263
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Statut de la pièce Active
Type de montage Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
输入类型 Standard
Fournisseur Dispositif Emballage TO-263 (D2PAK)
Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de grille 51 nC
Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 160 A
Temps de récupération inverse (trr) 52 ns
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 68 A
Type d'IGBT Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 40A
Puissance - Max 339.37 W
Énergie de Commutation 470µJ (on), 420µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 21ns/77ns
Condition de test 400V, 20A, 3Ohm, 15V