RGT8NS65DGC9

Número de pieza:
RGT8NS65DGC9
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Descripción:
IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
Datasheet:
-

Product Attributes

Tipo de Montaje Through Hole
Estado de la Pieza Active
输入类型 Standard
Energía de Conmutación -
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 8 A
Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 40 ns
Paquete / Carcasa TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Proveedor Dispositivo Paquete TO-262
Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
Potencia - Máx 65 W
Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Corriente - Colector Pulsada (Icm) 12 A
Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Carga de Puerta 13.5 nC
Td (encendido/apagado) @ 25°C 17ns/69ns
Condición de Prueba 400V, 4A, 50Ohm, 15V