IKW03N120H

Número de pieza:
IKW03N120H
Fabricante:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
Descripción:
IGBT 1200V 9.6A TO247-3-21
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Tipo de Montaje Surface Mount
Estado de la Pieza Active
Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Proveedor Dispositivo Paquete PG-TO247-3-21
Tipo de Circuito Isolated
Relación de Coincidencia de Resistencias -
Deriva de la Relación de Resistencias -
Potencia por Elemento 62.5mW
Coeficiente de Temperatura ±200ppm/°C
Tolerancia ±1%
Número de Pines 8
Grado Automotive
Altura - Montado (Máx) 0.022" (0.55mm)
Paquete / Carcasa 0804, Convex, Long Side Terminals
Número de Resistencias 4
Tipo de IGBT -
输入类型 Standard
Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
Calificación AEC-Q200
Tamaño / Dimensión 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm)
Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 42 ns
Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A
Aplicaciones DDRAM, SDRAM
Potencia - Máx 62.5 W
Carga de Puerta 22 nC
Td (encendido/apagado) @ 25°C 9.2ns/281ns
Condición de Prueba 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 9.6 A
Corriente - Colector Pulsada (Icm) 9.9 A
Resistencia (Ohms) 475k
Energía de Conmutación 140µJ (on), 150µJ (off)