HGTD1N120BNS9A

Número de pieza:
HGTD1N120BNS9A
Fabricante:
onsemi
Other Part Numbers:
-
Descripción:
IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Estado de la Pieza Active
Tipo de Montaje Surface Mount
Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
输入类型 Standard
Potencia - Máx 60 W
Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo de IGBT NPT
Proveedor Dispositivo Paquete TO-252AA
Carga de Puerta 14 nC
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 5.3 A
Corriente - Colector Pulsada (Icm) 6 A
Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Energía de Conmutación 70µJ (on), 90µJ (off)
Td (encendido/apagado) @ 25°C 15ns/67ns
Condición de Prueba 960V, 1A, 82Ohm, 15V