HGT1S10N120BNST

Número de pieza:
HGT1S10N120BNST
Fabricante:
onsemi
Other Part Numbers:
-
Descripción:
IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Estado de la Pieza Active
Tipo de Montaje Surface Mount
Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
输入类型 Standard
Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
Potencia - Máx 298 W
Proveedor Dispositivo Paquete TO-263 (D2PAK)
Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga de Puerta 100 nC
Tipo de IGBT NPT
Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Corriente - Colector Pulsada (Icm) 80 A
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 35 A
Td (encendido/apagado) @ 25°C 23ns/165ns
Condición de Prueba 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Energía de Conmutación 320µJ (on), 800µJ (off)