HGTH12N50C1D
Product Attributes
| نوع التثبيت | Surface Mount |
|---|---|
| حالة القطعة | Active |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| المورد الجهاز الحزمة | TO-218 Isolated |
| نوع الدائرة | Isolated |
| نسبة مطابقة المقاوم | - |
| انحراف نسبة المقاومة | - |
| الطاقة لكل عنصر | 62.5mW |
| معامل درجة الحرارة | ±200ppm/°C |
| التسامح | ±1% |
| عدد الدبابيس | 8 |
| الصف | Automotive |
| عدد المقاومات | 4 |
| نوع IGBT | - |
| 输入类型为阿拉伯文 | Standard |
| شرط الاختبار | - |
| التأهيل | AEC-Q200 |
| الحزمة / العلبة | 0804, Concave, Long Side Terminals |
| طاقة التبديل | - |
| Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية | - |
| الحجم / الأبعاد | 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) |
| وقت الاسترداد العكسي (trr) | 100 ns |
| الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) | 500 V |
| شحنة البوابة | 19 nC |
| الارتفاع - عند الجلوس (الحد الأقصى) | 0.020" (0.50mm) |
| تيار المجمع (Ic) (الأقصى) | 12 A |
| الطاقة - الحد الأقصى | 75 W |
| التطبيقات | DDRAM, SDRAM |
| المقاومة (أوم) | 118 |
| تيار المجمع النبضي (Icm) | 17.5 A |
| Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 17.5A |