HGTD1N120BNS9A

零件编号:
HGTD1N120BNS9A
制造商:
onsemi
其它零件编号:
-
描述:
IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
规格书:
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产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
输入类型 Standard
最大功率 60 W
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 1200 V
封装 / 外壳 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IGBT类型 NPT
供应商器件封装 TO-252AA
栅极电荷 14 nC
集电极电流(Ic)(最大值) 5.3 A
集电极脉冲电流 (Icm) 6 A
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
开关能量 70µJ (on), 90µJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 15ns/67ns
测试条件 960V, 1A, 82Ohm, 15V