RGT8BM65DGTL1
RGT8BM65DGTL1 — электронный компонент ROHM Semiconductor, категория Одиночные IGBT. Характеристики: IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE. Закупки и разработка могут сверить марку и пар
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| 输入类型 | Standard |
| Корпус | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Энергия переключения | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 40 ns |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 12 A |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 650 V |
| IGBT Тип | Trench Field Stop |
| Мощность - Максимальная | 62 W |
| Ток коллектора импульсный (Icm) | 12 A |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Заряд затвора | 13.5 nC |
| Td (включено/выключено) @ 25°C | 17ns/69ns |
| Условия испытания | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-252GE |