NXH80T120L3Q0S3G
NXH80T120L3Q0S3G — электронный компонент onsemi, категория Модули IGBT. Характеристики: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80. Закупки и разработка могут сверить марку и параметры и зап
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Корпус | Module |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| Конфигурация | Half Bridge |
| 输入 | Standard |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 75 A |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC Термистор | Yes |
| IGBT Тип | Trench Field Stop |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 300 µA |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 80A |
| Поставщик Устройство Корпус | 20-PIM/Q0PACK (55x32.5) |
| Мощность - Максимальная | 188 W |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 18.15 nF @ 20 V |