NXH25C120L2C2SG
NXH25C120L2C2SG — электронный компонент onsemi, категория Модули IGBT. Характеристики: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG. Закупки и разработка могут сверить марку и параметры и запр
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| IGBT Тип | - |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 250 µA |
| Конфигурация | Three Phase Inverter with Brake |
| 输入 | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC Термистор | Yes |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 25 A |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
| Мощность - Максимальная | 20 mW |
| Корпус | 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm) |
| Поставщик Устройство Корпус | 26-DIP |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 6.2 nF @ 20 V |