IGB03N120S7ATMA1

IGB03N120S7ATMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Одиночные IGBT. Характеристики: IGBT 1200V 9A TO263-3-2. Закупки и разработка могут сверить марку и параме

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
IGB03N120S7ATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
IGBT 1200V 9A TO263-3-2
Спецификация:
-

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Класс -
Квалификация -
IGBT Тип -
输入类型 Standard
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
Ток коллектора (Ic) (макс.) 9 A
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поставщик Устройство Корпус PG-TO263-3-2
Заряд затвора 24 nC
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Мощность - Максимальная 37 W
Ток коллектора импульсный (Icm) 9 A
Энергия переключения 210µJ (on), 160µJ (off)
Td (включено/выключено) @ 25°C 19ns/89ns
Условия испытания 600V, 3A, 60Ohm, 15V