GT20N135SRA,S1E

GT20N135SRA,S1E — электронный компонент Toshiba Semiconductor and Storage, категория Одиночные IGBT. Характеристики: IGBT 1350V 40A TO-247. Закупки и разработка могут сверить марку

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
GT20N135SRA,S1E
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Другие номера деталей:
-
Описание:
IGBT 1350V 40A TO-247
Спецификация:
-

Характеристики продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Корпус TO-247-3
IGBT Тип -
Ток коллектора (Ic) (макс.) 40 A
输入类型 Standard
Td (включено/выключено) @ 25°C -
Рабочая температура 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус TO-247
Ток коллектора импульсный (Icm) 80 A
Мощность - Максимальная 312 W
Заряд затвора 185 nC
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1350 V
Энергия переключения -, 700µJ (off)
Условия испытания 300V, 40A, 39Ohm, 15V