GT20J341,S4X(S
GT20J341,S4X(S — электронный компонент Toshiba Semiconductor and Storage, категория Одиночные IGBT. Характеристики: IGBT 600V 20A TO-220SIS. Закупки и разработка могут сверить марк
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| IGBT Тип | - |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 600 V |
| 输入类型 | Standard |
| Корпус | TO-220-3 Full Pack |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 20 A |
| Мощность - Максимальная | 45 W |
| Ток коллектора импульсный (Icm) | 80 A |
| Время обратного восстановления (trr) | 90 ns |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-220SIS |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 20A |
| Энергия переключения | 500µJ (on), 400µJ (off) |
| Td (включено/выключено) @ 25°C | 60ns/240ns |
| Условия испытания | 300V, 20A, 33Ohm, 15V |