GH50H65DRB2-7AG
GH50H65DRB2-7AG — электронный компонент STMicroelectronics, категория Одиночные IGBT. Характеристики: IGBT. Закупки и разработка могут сверить марку и параметры и запросить цену.
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Корпус | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 输入类型 | Standard |
| Ток коллектора импульсный (Icm) | 200 A |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 650 V |
| IGBT Тип | Trench Field Stop |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Условия испытания | 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V |
| Мощность - Максимальная | 385 W |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 108 A |
| Поставщик Устройство Корпус | H2PAK-7 |
| Заряд затвора | 152 nC |
| Энергия переключения | 557µJ (off) |
| Td (включено/выключено) @ 25°C | -/117ns |
| Время обратного восстановления (trr) | 912 ns |