FS50R07N2E4BOSA1

FS50R07N2E4BOSA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Модули IGBT. Характеристики: IGBT MODULE 650V 70A 190W. Закупки и разработка могут сверить марку и парамет

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
FS50R07N2E4BOSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
IGBT MODULE 650V 70A 190W
Спецификация:
-

Характеристики продукта

Статус детали Obsolete
Рабочая температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Корпус Module
IGBT Тип -
Ток коллектора (Ic) (макс.) 70 A
Ток отсечки коллектора (макс.) 1 mA
输入 Standard
Поставщик Устройство Корпус Module
NTC Термистор Yes
Мощность - Максимальная 190 W
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
Входная емкость (Cies) при Vce 3.1 nF @ 25 V
Конфигурация Full Bridge Inverter
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 50A