FII30-12E
FII30-12E — электронный компонент IXYS, категория Массивы IGBT. Характеристики: IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5. Закупки и разработка могут сверить марку и параметры и запросить цен
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| Конфигурация | Half Bridge |
| 输入 | Standard |
| NTC Термистор | No |
| Мощность - Максимальная | 150 W |
| IGBT Тип | NPT |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 33 A |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 200 µA |
| Поставщик Устройство Корпус | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Корпус | i4-Pac™-5 |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 20A |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 1.2 nF @ 25 V |