GT30J65MRB,S1E

GT30J65MRB,S1EはToshiba Semiconductor and Storageの電子部品型番で、分類は単一IGBT。仕様:IGBT 650V 60A TO-3P。購買と開発担当は、この型番でブランドと仕様を確認して見積を依頼できます。

在庫で供給している部品はどれですか?

深センクラスター技術Co.の在庫には、集積回路(IC)、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、ダイオードが含まれます。型番ページで品番、ブランド、仕様を確認し、パラメータ確認後に見積依頼で数量と納期を確認できます。正規在庫は見積依頼時の在庫が基準です。

品番で見積を依頼するには?

まず型番ページを開き、品番でブランド、パッケージ、電気仕様が要件と一致することを確認してから見積を送信してください。見積には品番、数量、希望納期を記載してください。複数部品の場合は BOM 照合を使い、一覧に一度で記載してください。

BOM 照合には対応していますか?

対応しています。品番、数量、ブランドをお送りください。集積回路、抵抗器、コンデンサ、インダクタなどの項目を現在の在庫と照合し、納品できる数量と発注が必要な行を返信します。

部品番号:
GT30J65MRB,S1E
その他の部品番号:
-
説明:
IGBT 650V 60A TO-3P
仕様書:
PDF

製品属性

実装タイプ Through Hole
部品ステータス Active
逆回復時間(trr) 200 ns
IGBTタイプ -
输入类型 Standard
パワー - 最大 200 W
パッケージ / ケース TO-3P-3, SC-65-3
コレクタ電流 (Ic) (最大) 60 A
Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 1.8V @ 15V, 30A
動作温度 175°C (TJ)
ゲートチャージ 70 nC
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3P(N)
電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
スイッチングエネルギー 1.4mJ (on), 220µJ (off)
Td (オン/オフ) @ 25°C 75ns/400ns
試験条件 400V, 15A, 56Ohm, 15V