NXH80T120L3Q0S3G

NXH80T120L3Q0S3G est un composant électronique onsemi de la catégorie Modules IGBT. Spécifications : PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80. Les achats et la R&D peuvent vérifier la marq

Quelles pièces sont fournies en stock ?

Le stock de Shenzhen Cluster Technology Co., Ltd. comprend des circuits intégrés (CI), des résistances, des condensateurs, des inductances et des diodes. La page du modèle permet de voir la référence, la marque et les spécifications, puis de demander un devis pour la quantité et le délai. Le stock d'origine est confirmé au moment de la demande.

Comment demander un devis par référence ?

Ouvrez la page du modèle et vérifiez la marque, le boîtier et les spécifications électriques par rapport à votre besoin, puis envoyez une demande. Indiquez la référence, la quantité et le délai visé. Pour plusieurs lignes, utilisez l'appariement BOM et listez chaque référence une seule fois.

Proposez-vous l'appariement BOM ?

Oui. Envoyez les références, les quantités et les marques. Nous vérifions les circuits intégrés, résistances, condensateurs et inductances par rapport au stock actuel, puis nous indiquons la quantité livrable et les lignes à commander.

Numéro de pièce :
NXH80T120L3Q0S3G
Fabricant :
onsemi
Numéros d'autres pièces :
-
Description :
PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Spécifications :
PDF

Caractéristiques du produit

Statut de la pièce Active
Type de montage Chassis Mount
Boîtier Module
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
Configuration Half Bridge
输入 Standard
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75 A
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Thermistance NTC Yes
Type d'IGBT Trench Field Stop
Courant de collecteur de coupure (Max) 300 µA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 80A
Fournisseur Dispositif Emballage 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Puissance - Max 188 W
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 18.15 nF @ 20 V