NXH800A100L4Q2F2S1G

NXH800A100L4Q2F2S1G est un composant électronique onsemi de la catégorie Modules IGBT. Spécifications : MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE. Les achats et la R&D peuvent vérifier la m

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Numéro de pièce :
NXH800A100L4Q2F2S1G
Fabricant :
onsemi
Numéros d'autres pièces :
-
Description :
MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
Spécifications :
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Caractéristiques du produit

Statut de la pièce Last Time Buy
Type de montage Chassis Mount
Boîtier Module
输入 Standard
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1000 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Thermistance NTC Yes
Type d'IGBT Trench Field Stop
Courant de collecteur de coupure (Max) 20 µA
Configuration Three Level Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 400A
Puissance - Max 714 W
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 309 A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 49.7 nF @ 20 V
Fournisseur Dispositif Emballage 51-PIM/Q2PACK (93x47)