MIP50R12E2TN-BP

Numéro de pièce :
MIP50R12E2TN-BP
Other Part Numbers:
-
Description :
IGBT MODULES
Datasheet:
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Product Attributes

Statut de la pièce Active
Type de montage Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage -
Boîtier Module
Type d'IGBT -
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Courant de collecteur de coupure (Max) 1 mA
Configuration Three Phase Inverter
输入 Three Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC Yes
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 35 A
Puissance - Max 227 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 35A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 2000 pF @ 25 V