FII30-12E

FII30-12E est un composant électronique IXYS de la catégorie Matrices IGBT. Spécifications : IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5. Les achats et la R&D peuvent vérifier la marque et les

Quelles pièces sont fournies en stock ?

Le stock de Shenzhen Cluster Technology Co., Ltd. comprend des circuits intégrés (CI), des résistances, des condensateurs, des inductances et des diodes. La page du modèle permet de voir la référence, la marque et les spécifications, puis de demander un devis pour la quantité et le délai. Le stock d'origine est confirmé au moment de la demande.

Comment demander un devis par référence ?

Ouvrez la page du modèle et vérifiez la marque, le boîtier et les spécifications électriques par rapport à votre besoin, puis envoyez une demande. Indiquez la référence, la quantité et le délai visé. Pour plusieurs lignes, utilisez l'appariement BOM et listez chaque référence une seule fois.

Proposez-vous l'appariement BOM ?

Oui. Envoyez les références, les quantités et les marques. Nous vérifions les circuits intégrés, résistances, condensateurs et inductances par rapport au stock actuel, puis nous indiquons la quantité livrable et les lignes à commander.

Numéro de pièce :
FII30-12E
Fabricant :
IXYS
Numéros d'autres pièces :
-
Description :
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Spécifications :
PDF

Caractéristiques du produit

Statut de la pièce Obsolete
Type de montage Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
Configuration Half Bridge
输入 Standard
Thermistance NTC No
Puissance - Max 150 W
Type d'IGBT NPT
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 33 A
Courant de collecteur de coupure (Max) 200 µA
Fournisseur Dispositif Emballage ISOPLUS i4-PAC™
Boîtier i4-Pac™-5
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 20A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 1.2 nF @ 25 V