AFGB40T65RQDN

AFGB40T65RQDN est un composant électronique onsemi de la catégorie IGBTs simples. Spécifications : IGBT FIELD STOP 650V 68A TO-263. Les achats et la R&D peuvent vérifier la marque

Quelles pièces sont fournies en stock ?

Le stock de Shenzhen Cluster Technology Co., Ltd. comprend des circuits intégrés (CI), des résistances, des condensateurs, des inductances et des diodes. La page du modèle permet de voir la référence, la marque et les spécifications, puis de demander un devis pour la quantité et le délai. Le stock d'origine est confirmé au moment de la demande.

Comment demander un devis par référence ?

Ouvrez la page du modèle et vérifiez la marque, le boîtier et les spécifications électriques par rapport à votre besoin, puis envoyez une demande. Indiquez la référence, la quantité et le délai visé. Pour plusieurs lignes, utilisez l'appariement BOM et listez chaque référence une seule fois.

Proposez-vous l'appariement BOM ?

Oui. Envoyez les références, les quantités et les marques. Nous vérifions les circuits intégrés, résistances, condensateurs et inductances par rapport au stock actuel, puis nous indiquons la quantité livrable et les lignes à commander.

Numéro de pièce :
AFGB40T65RQDN
Fabricant :
onsemi
Numéros d'autres pièces :
-
Description :
IGBT FIELD STOP 650V 68A TO-263
Spécifications :
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Caractéristiques du produit

Statut de la pièce Active
Type de montage Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
输入类型 Standard
Fournisseur Dispositif Emballage TO-263 (D2PAK)
Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de grille 51 nC
Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 160 A
Temps de récupération inverse (trr) 52 ns
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 68 A
Type d'IGBT Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 40A
Puissance - Max 339.37 W
Énergie de Commutation 470µJ (on), 420µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 21ns/77ns
Condition de test 400V, 20A, 3Ohm, 15V