GT50JR22(STA1,E,S)
GT50JR22(STA1,E,S) es un componente electrónico de Toshiba Semiconductor and Storage de la categoría IGBTs individuales. Especificaciones: IGBT 600V 50A TO-3P. Compras e I+D pueden
¿Qué componentes se suministran en stock?
El stock de Shenzhen clúster Technology co., Ltd. incluye circuitos integrados (CI), resistencias, condensadores, inductores y diodos. En la página del modelo se puede ver el número de pieza, la marca y las especificaciones, y luego solicitar una cotización para conocer la cantidad y el plazo. El stock original se confirma en el momento de la consulta.
¿Cómo solicito una cotización por número de pieza?
Abra la página del modelo y compruebe la marca, el encapsulado y las especificaciones eléctricas frente a su necesidad, y después envíe la consulta. Indique el número de pieza, la cantidad y el plazo objetivo. Para varias líneas, use la coincidencia BOM y liste cada pieza una sola vez.
¿Ofrecen coincidencia de BOM?
Sí. Envíe los números de pieza, las cantidades y las marcas. Comprobamos circuitos integrados, resistencias, condensadores e inductores frente al stock actual y respondemos con la cantidad que se puede entregar y las líneas que hay que pedir.
Atributos del producto
| Tipo de Montaje | Through Hole |
|---|---|
| Estado de la Pieza | Active |
| Tipo de IGBT | - |
| Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) | 600 V |
| 输入类型 | Standard |
| Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 50 A |
| Condición de Prueba | - |
| Paquete / Carcasa | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Energía de Conmutación | - |
| Td (encendido/apagado) @ 25°C | - |
| Corriente - Colector Pulsada (Icm) | 100 A |
| Temperatura de Operación | 175°C (TJ) |
| Potencia - Máx | 230 W |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-3P(N) |
| Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |