FII30-12E

FII30-12E es un componente electrónico de IXYS de la categoría Matrices de IGBT. Especificaciones: IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5. Compras e I+D pueden comprobar la marca y los dat

¿Qué componentes se suministran en stock?

El stock de Shenzhen clúster Technology co., Ltd. incluye circuitos integrados (CI), resistencias, condensadores, inductores y diodos. En la página del modelo se puede ver el número de pieza, la marca y las especificaciones, y luego solicitar una cotización para conocer la cantidad y el plazo. El stock original se confirma en el momento de la consulta.

¿Cómo solicito una cotización por número de pieza?

Abra la página del modelo y compruebe la marca, el encapsulado y las especificaciones eléctricas frente a su necesidad, y después envíe la consulta. Indique el número de pieza, la cantidad y el plazo objetivo. Para varias líneas, use la coincidencia BOM y liste cada pieza una sola vez.

¿Ofrecen coincidencia de BOM?

Sí. Envíe los números de pieza, las cantidades y las marcas. Comprobamos circuitos integrados, resistencias, condensadores e inductores frente al stock actual y respondemos con la cantidad que se puede entregar y las líneas que hay que pedir.

Número de pieza:
FII30-12E
Fabricante:
IXYS
Otros números de pieza:
-
Descripción:
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Especificaciones:
PDF

Atributos del producto

Estado de la Pieza Obsolete
Tipo de Montaje Through Hole
Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
Configuración Half Bridge
输入 Standard
Termistor NTC No
Potencia - Máx 150 W
Tipo de IGBT NPT
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 33 A
Corriente - Corte del Colector (Máx.) 200 µA
Proveedor Dispositivo Paquete ISOPLUS i4-PAC™
Paquete / Carcasa i4-Pac™-5
Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 20A
Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 1.2 nF @ 25 V