STGB50H65FB2

STGB50H65FB2 مكوّن إلكتروني من STMicroelectronics ضمن فئة IGBTs الفردية. المواصفات: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب ال

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
STGB50H65FB2
Manufacturer:
STMicroelectronics
Other Part Numbers:
-
Description:
IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263
Datasheet:
-

Product Attributes

حالة القطعة Active
نوع التثبيت Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
输入类型为阿拉伯文 Standard
المورد الجهاز الحزمة TO-263 (D2PAK)
الحزمة / العلبة TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
تيار المجمع النبضي (Icm) 150 A
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
نوع IGBT Trench Field Stop
الطاقة - الحد الأقصى 272 W
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 86 A
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
شرط الاختبار 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
شحنة البوابة 151 nC
طاقة التبديل 910µJ (on), 580µJ (off)
Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 28ns/115ns