RGW50TK65GVC11

RGW50TK65GVC11 مكوّن إلكتروني من ROHM Semiconductor ضمن فئة IGBTs الفردية. المواصفات: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM. يمكن لفرق الشراء والتطوير التحقق من العلامة والمواصفات ثم طلب

ما المكونات المتوفرة في المخزون؟

يشمل مخزون شنتشن مجموعة التكنولوجيا المحدودة الدوائر المتكاملة (IC) والمقاومات والمكثفات والملفات والصمامات الثنائية. يمكن في صفحة الطراز الاطلاع على رقم القطعة والعلامة والمواصفات، ثم طلب عرض سعر لمعرفة الكمية ومدة التسليم. يُعتد بمخزون القطع الأصلية وقت الاستفسار.

كيف أطلب عرض سعر حسب رقم القطعة؟

افتح صفحة الطراز وتحقق من العلامة والحزمة والمواصفات الكهربائية وفق متطلباتك، ثم أرسل الاستفسار. اذكر رقم القطعة والكمية ومدة التسليم المطلوبة. لعدة بنود استخدم مطابقة BOM واذكر كل قطعة مرة واحدة.

هل تدعمون مطابقة BOM؟

نعم. أرسلوا أرقام القطع والكميات والعلامات. نطابق الدوائر المتكاملة والمقاومات والمكثفات والملفات مع المخزون الحالي، ثم نرد بالكمية التي يمكن توريدها والبنود التي تحتاج إلى طلب.

Part Number:
RGW50TK65GVC11
Manufacturer:
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Description:
IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Datasheet:
-

Product Attributes

نوع التثبيت Through Hole
حالة القطعة Active
输入类型为阿拉伯文 Standard
تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 30 A
درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
تيار المجمع النبضي (Icm) 100 A
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
نوع IGBT Trench Field Stop
شحنة البوابة 73 nC
المورد الجهاز الحزمة TO-3PFM
الحزمة / العلبة TO-3PFM, SC-93-3
شرط الاختبار 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 25A
طاقة التبديل 390µJ (on), 430µJ (off)
Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 35ns/102ns
الطاقة - الحد الأقصى 67 W